電阻測量的三個基本知識-手動無損渦流法電阻測量儀EC-80P（便攜式）

電阻測量的定義

通常，電阻（電阻）用于評估物質或材料的電導率（導電性）。我認為下面的Ω（Ohm）是電阻的評估標準（許多人在“歐姆定律”中都記得它）。

電阻_（電阻）=Ω[讀數：歐姆]

⇒表示電流難易度的單位

R = V / I　* V =電壓，I =電流

由數字萬用表（絕緣電阻表）測量的絕緣電阻也通常以Ω單位表示。

電阻單位還根據物質或材料的形狀而適當地使用，并且根據測量目標而主要使用，因為存在針對每個行業的工業標準（例如，JIS）的電阻單位。關于電阻的表示法是不同的。

除了電阻[Ω]，我們的電阻測量系統還支持以下兩種類型的電阻測量單位：電阻[Ωcm]和薄層電阻[Ω/□]。

電阻=Ωcm[讀數：歐姆厘米]

*也稱為比電阻。

⇒物質的“體積電阻值”

它主要用于表示較厚物體的電阻，例如硅片，大塊以及導電橡膠和塑料。

電阻：R的值由以下等式表示，其中ρ是電阻，L是導體的長度，A是導體的截面積。

R =ρ×[L / A]

因此，電阻值ρ由下式表示。

ρ= V / I×[A / L]

*當單位為Ωcm時，該值為1 cm x 1 cm x 1 cm的體積。根據測量目標的不同，它可能以Ωm（歐姆表）表示。

薄層電阻=Ω/□[讀數：歐姆標準平方]

*也稱為比電阻。

⇒物質的“表面電阻值”

它主要用于表示片狀材料（例如薄膜和膜狀材料）的電阻。

一般而言，當表示三維電導率時，電阻由下式表示。

R =ρ×L / A ＝ L / W×ρs

假設樣品的長度：L和寬度：W是均勻的，則電阻：R和薄層電阻：ρs相等。

薄層電阻：ρs也可以表示為通過將電阻：ρ除以厚度：t得到的值。

觸點類型：4種探頭法測量

在這里，我們將介紹接觸式電阻測量原理的概述（4探針法）（該原理的詳細信息在材料中進行了說明）。

（*對于我們的產品，還有一個系統會根據電阻范圍使用不同的測量方法。）

四探針法主要用于接觸式情況，可以測量1E-3（1m）到1E + 9（1G）Ω/□電阻范圍。

這是在廣泛領域中測量電阻的基本測量方法。

●在四探針法中，將按照以下步驟進行測量。

（1）將四個針狀電極直線地放在測量樣品上。

（2）兩個外部探頭之間流過恒定電流。

（3）通過測量兩個內部探針之間的電位差來計算電阻。

如下圖所示，電阻和薄層電阻的測量原理相同。 

電阻（電阻率）

座阻力

我們的4探針測量系統是符合JIS和ASTM標準的測量方法和校正方法，已被用作行業標準測量系統，尤其受到硅相關用戶的信賴。我會。

此外，關于可追溯性，我們使用符合NIST（美國國家標準技術研究院）標準的標準樣品作為設備校準標準，進行認真的裝運前檢驗。

* 4探針法和“ 4端子法”具有相同的測量原理，唯1的區別是與樣品接觸的電極部分的形狀不同。4探針的針距為1 mm =測量點：大約3 mm，與4端子探針相比，可以在非常小的點上進行測量。另外，如在四端子法中一樣，通過消除在樣品上形成電極的需要可以提高工作效率。

<4個探頭測量參考視頻：AIST>

此外，納普森的4針電阻測量設備符合日本工業標準（JIS）和美國材料測試協會（ASTM）設定的以下標準。

日本工業標準

JIS H 0602-1995

硅單晶和硅晶片的四探針法電阻測量方法

JIS K 7194-1994

導電塑料四探針法電阻測試方法

美國材料試驗學會

ASTM F 84-99（SEMI MF84）

用在線四點探針測量硅晶片電阻率的標準測試方法

ASTM F 374-00a

使用單配置程序的在線四點探針對硅外延層，擴散層，多晶硅層和離子注入層的薄層電阻的標準測試方法

ASTM F 390-11

帶共線四探針陣列的金屬薄膜的薄層電阻的標準測試方法

ASTM F 1529-97

雙重配置程序的在線四點探針通過薄層電阻均勻性評估的標準測試方法

非接觸型：渦流法測量

在這里，我們將介紹非接觸式（渦流法）電阻測量原理的概況（該原理的詳細說明在材料中）。

（*在我們的產品中，根據電阻范圍，還有另一種非接觸式電阻測量方法系統。請單擊此處。請參考。此外，關于非接觸式測量原理，除了渦流方法外，但很抱歉給您帶來麻煩請聯系我們）

渦流法主要用于非接觸式，可測量1E-3（1m）至1E + 4（10k）Ω/□電阻范圍。

它可用于半導體，化合物半導體，液晶和新型碳基材料等廣泛領域的測量。

渦電流測量系統使用電磁感應產生的渦電流來測量電阻。

非接觸式測量探頭單元的探頭芯（磁性材料）在兩側（上下）以一定的間隙排列。

<非接觸式測量探頭單元的結構>

●在渦流法中，按照以下步驟進行測量。

（1）當在探針芯之間施加高頻以產生磁通量并且插入樣本時，樣本中產生渦流。

（2）此時，（1）渦電流流過樣品→（2）樣品中消耗了電流，發生了功率損耗。

　→③電路中的電流成比例降低。檢測該減小的電流值。

（3）由于檢測到的電流值與樣品的電阻成反比關系，請使用此值。

　座電阻或電阻是從電流值和座電阻的校準曲線（計算公式）得出的。

　?。?計算電阻時需要樣品厚度信息）

非接觸型（雙面探頭型）和非破壞型（單面探頭型）

如上所述，在非接觸型中，通過將樣品插入上下配對的探針之間的間隙中來進行測量。

因此，探針單元的形狀不可避免地限制了樣品的厚度和相應的尺寸。

• 樣品厚度限制：探針之間的間隙通常為2 mm。
• 樣品支架尺寸限制：由于U形單元的形狀，深度受到限制。

因此，為了處理大樣本和厚樣本，我們通過應用渦流技術開發并制造了一種單面手持式探頭。

如左圖所示，只需垂直于樣品表面觸摸探頭即可進行測量。