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    產品資料
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    日本napson階段集成式半自動四探針測量儀

    產品名稱: 日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
    產品型號: Cresbox
    產品特點: 日本napson階段集成式半自動四探針測量儀
    產品特點
    用于圓/方測量的可編程測量模式和繪圖軟件
    自檢功能,測量范圍廣
    厚度/周邊位置/溫度校正功能(用于硅)
    薄層電阻/金屬膜厚顯示功能

    日本napson階段集成式半自動四探針測量儀 的詳細介紹

    日本napson階段集成式半自動四探針測量儀

     

    測量規格

    測量對象

    • 與半導體/太陽能電池材料有關(硅,多晶硅,SiC等)
    • 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
    • 導電薄膜相關(金屬,ITO等)
    • 擴散樣品硅外延,離子注入樣品
    • 其他(*請聯系我們)

    測量尺寸

    ?8英寸,或?156x156mm

     

    測量范圍

    [電阻率(電阻率)] 1 m至300 kΩ·cm 
    [板電阻] 5 m至10 MΩ/ sq

     

    傳單

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    映射圖像

    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])

    高規格類型的電阻率(比電阻)/薄層電阻半自動四探針法測量儀器

    產品名稱:RT-3000 / RG-2000(RG-3000)

    產品圖片(可根據客戶要求進行各種定制)

    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
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    產品特點

    • 具有世界醉高電阻測量范圍的4探針測量儀
    • 用于圓/方測量的可編程測量模式和繪圖軟件
    • 自檢功能,厚度/周邊位置/溫度校正功能(用于硅)
    • 根據電阻范圍從2種類型的測試儀中選擇
    • (RT-3000(S):寬范圍,RT-3000(H):高電阻范圍)

    測量規格

    測量對象

    • 與半導體/太陽能電池材料有關(硅,多晶硅,SiC等)
    • 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
    • 導電薄膜相關(金屬,ITO等)
    • 擴散樣本
    • 硅基薄膜(LTPS等),IGZO
    • 硅基外延離子注入樣品
    • 其他(*請聯系我們)

    測量尺寸

    ?8英寸,或?156x156mm 

    ?選件(兼容大直徑尺寸:RG-3000型):?12英寸,?210×210mm

     

    測量范圍

    ①RT-3000(S);
    [電阻率(電阻率)] 100μ- 1MΩ·cm 
    [層電阻] 1m- 
    10MΩ / sq②RT-3000(H);
    [層電阻] 10m-1GΩ/ sq

     

    傳單

    *單擊下面的按鈕下載此產品的傳單。

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    映射圖像

    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])

    平板(液晶等)電阻率(比電阻)/薄層電阻的半自動測量

    商品名稱:RG-100PV

    產品圖片(可根據客戶要求進行各種定制)

    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
    • 半自動類型<br />(多點測量系統[包括軟件+ PC])
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    產品特點

    • 用于玻璃基板上薄膜的4探針半自動測量儀
    • XY軸機械平臺
    • 對于平面內多點測量,均勻螺距或隨機螺距的可選設置,已安裝2-D / 3-D映射軟件

    測量規格

    測量對象

    • 與半導體/太陽能電池材料有關(硅,多晶硅,SiC等)
    • 新材料/功能材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
    • 導電薄膜相關(金屬,ITO等)
    • 擴散樣品硅薄膜(LTPS等),IGZO
    • 硅基外延離子注入樣品
    • 與化合物半導體有關的(GaAs,Epi,GaN,Epi,InP,Ga等)
    • 其他(*請聯系我們)

    測量尺寸

    大300 x 300毫米(可選;大500 x 500毫米)

     

    測量范圍

    [電阻率(比電阻)] 1 m至200Ω·cm 
    [板電阻] 1 m至1,000kΩ/ sq(可選;醉高10 MΩ/ sq)

    日本napson階段集成式半自動四探針測量儀

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